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突破功率密度极限：yl7703永利集团官网发布150V G3平台SGT新品

2025年12月19日

随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，yl7703永利集团官网正式推出新一代 150V G3平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品 —— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能新标杆。

一、产品核心参数

关键参数	规格指标	备注/条件
型号	LSGT15R032	/
技术平台	G3 SGT (屏蔽栅沟槽)	新一代平台
击穿电压 (VDSS)	150 V	/
导通电阻 (RDS_(on))	典型值 2.7 mΩ 最大值 3.25 mΩ	@V_GS=10V I_D=50A T_J=25°C
连续漏极电流 (ID)	279 A (硅能力极限，T_C=25°C)	封装极限电流 300A
封装形式	TOLL	优异的散热与功率密度

二、产品核心特点

极致低阻设计，能效全面跃升：采用先进的G3代屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了3.25mΩ的业界领先导通电阻，较上一代G2平台产品（4.0mΩ）显著降低。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。
超强电流承载，功率输出澎湃：在25°C壳温下，连续漏极电流高达279A，脉冲电流能力更达到1116A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。
卓越坚固性能，稳定可靠运行：产品保证100%雪崩能量（EAS）测试，额定雪崩能量高达1600mJ，具备优异的抗反向恢复和短路能力。TOLL封装提供了极低的0.26°C/W结到壳热阻，确保芯片热量能够快速导出，满足高可靠性应用要求。
精准聚焦应用，性能量身定制：此产品专为对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域优化。相较于前一代(G2)产品，在静态性能上优势明显。